فناوری ساخت 1.6 نانومتری TSMC با پیشرفت قابل ملاحظه معرفی شد

TSMC امروز از فناوری ساخت تراشه ۱.۶ نانومتری خود رونمایی کرد که اولین فناوری ساخت کلاس انگستروم این سازنده تایوانی است. این فناوری از قابلیت تغذیه تراشه از پشت دای برخوردار است که انتظار می‌رود به ساخت تراشه‌های قوی‌تر و بهینه‌تر کمک کند.

فناوری ساخت TSMC A16 متکی بر ترانزیستورهای GAAFET خواهد بود و برای اولین بار، امکان تغذیه دای از طریق سمت دیگر (پُشت) را می‌دهد.

تغذیه وارونه با فناوری ساخت 1.6 نانومتری TSMC

در این طراحی از بخش زیرین دای برای عبور مسیرهای ارتباطی مربوط به داده استفاده می‌شود و در عوض تغذیه ترانزیستورهای آن از بالای دای صورت می‌گیرد. این کار مزایایی چون کاهش پیچیدگی طراحی، تغذیه بهتر و تسهیل طراحی تراشه‌های پیشرفته دارد.

TSMC وعده داده فناوری ساخت ۱.۶ نانومتری این کمپانی در مقایسه با N2P، بین ۸ تا ۱۰ درصد کارایی بهتری را با همان مصرف انرژی ارائه کند و بین ۱۵ تا ۲۰ درصد با همان فرکانس، مصرف پایین‌تری داشته باشد. همچنین صنایع نیمه‌هادی تایوان وعده افزایش ۱.۰۷ تا ۱.۱۰ برابری چگالی تراشه را داده است.

TSMC اعلام کرده تولید انبوه تراشه با فناوری ساخت ۱.۶ نانومتری A16 برای نیمه دوم ۲۰۲۶ زمانبندی شده است و اولین تراشه‌های تولید شده با این فناوری پیشرفته می‌بایست در سال ۲۰۲۷ روانه بازار شوند.