تولید انبوه حافظه‌های GDDR6 توسط سامسونگ آغاز شد

شرکت سامسونگ به تازگی تایید کرده است که تولید انبوه حافظه‌های GDDR6 را آغاز کرده است. این حافظه در کارت گرافیک‌های قدرتمندی که امسال عرضه‌ می‌شوند استفاده خواهد شد. حافظه‌های GDDR6 در مقایسه با نسل قبلی GDDR5 بسیار سریعتر خواهند بود. همچنین پهنای باند سریعتر و میزان حافظه‌ی VRAM بیشتری را با وجود مصرف برق پایینتر، در اختیار خواهند داشت.
این مزیت‌ها، فناوری HBM را که در کارت‌گرافیک‌های امروزی استفاده می‌شود و پهنای باند پایینتر، مصرف انرژی بیشتر و هزینه‌ی تولید بالاتری را دارد، به چالش می‌کشد. سامسونگ به صورت رسمی تولید انبوه این نسل را آغاز کرده است. این حافظه‌ها توانایی رسیدن به سرعت ۱۸ گیگابیت در ثانیه و ظرفیت ۱۶ گیگابایت را دارند. این حافظه در صورت استفاده در کارت‌های گرافیک ظرفیت حافظه‌ی ۲۴ گیگابایت و پهنای‌باند ۸۶۴ گیگابایت بر ثانیه را دارا هست.

طبق اعلام سامسونگ الکترونیکس، این شرکت تولید حافظه‌های ۱۶ گیگابایتی GDDR6 را برای اولین بار آغاز کرده است. این حافظه در پردازنده‌های گرافیکی دستگاه‌های مخصوص بازی استفاده خواهد شد.کارت‌های گرافیکی که برای خودرو‌ها، شبکه‌ها، هوش مصنوعی و سیستم هوش مصنوعی عصبی به کار گرفته‌ می‌شوند نیز از این حافظه بهره خواهند برد. جینمان هان (Jinman Han) معاون ارشد بخش مهندسی تولید و طراحی حافظه این شرکت در این باره گفت:” با تولید اولین حافظه‌ی ۱۶ گیگابایتی این صنعت ما می‌توانیم یک مجموعه حافظه‌های DRAM گرافیکی، با بالاترین عملکرد و کارایی ارائه دهیم. با معرفی نسل بعدی محصولات GDDR6 ما حضور خود را در بازار محصولات گیمینگ و کارت‌های گرافیکی و حافظه‌های گرافیکی پیشرفته، که در خودروها و سیستم‌های شبکه‌ای استفاده می‌شوند، تقویت خواهیم کرد”

این آغاز تولید انبوه، دقیقا طبق خبری است که سامسونگ در گذشته‌ اعلام کرده بود که تولید انبوه حافظه‌های GDDR6 را اوایل سال ۲۰۱۸ آغاز خواهد کرد. دو شرکت Micron و SK Hynix نیز برنامه دارند تا تولید انبوه حافظه‌های GDDR6 خود را در نیمه‌ی اول سال جاری عملی کنند. اما این سامسونگ است که زودتر از دیگر تولید کنندگان، به این توانایی دست پیدا کرده است. پیشبینی می‌شود کارت‌ گرافیک‌های مختلفی با استفاده از این حافظه معرفی شوند.

محصولات نسل جدید GeForce شرکت Nvidia از حافظه‌های GDDR6 استفاده خواهند کرد که باعث خواهد شد از نسل GDDR5 و GDDR5X که برای چند سال در بازار بودند بسیار سریعتر باشند. AMD نیز ممکن است از این حافظه‌ها در مدل جدید و ارزان قیمت نسل RX Vega که تا چند ماه دیگر عرضه خواهد شد، استفاده کند که هنوز این خبر توسط این شرکت تایید نشده است.

مشخصات دقیق‌تر حافظه‌‌ی جدید سامسونگ اینگونه اعلام شده است که این حافظه‌ی ۱۶ گیگابایتی بر اساس لیتوگرافی و فرایند ۱۰ نانومتری تولید خواهد شد که سامسونگ آن را پیشرفته‌ترین پروسه‌ی تولید حافظه تا زمان حال می‌خواند. این فرایند باعث خواهد شد تا چگالی ترانزیستورها و مدارها نسبت به مدل قبلی GDDR5 که با لیتوگرافی ۲۰ نانومتری و ظرفیت ۸ گیگابایت تولید شده بود، دو برابر شود. طبق اعلام سامسونگ این حافظه‌ها با سرعت ۱۸ گیگابیت بر ثانیه فعالیت می‌کنند در حالی که در مدل قبلی، این سرعت ۱۶ گیگابیت بود که پیشرفت زیادی محسوب می‌شود. در این حافظه‌ها هر بخش می‌تواند با نرخ ۷۲ گیگابایت بر ثانیه اطلاعات را جابه‌جا کند و حافظه‌ی VRAM تا دو گیگابایت را، در خود جا دهد. این حافظه با وجود برتری در میزان ظرفیت و سرعت انتقال داده‌ها، چیزی حدود ۳۵ درصد مصرف انرژی کمتری دارد. در این نسل میزان برق ورودی به حافظه چیزی حدود ۱٫۳۵ ولت است که در مقایسه با مدل قبلی که ۱٫۵۵ ولت بود ۳۵ درصد کاهش پیدا کرده.

مطلب مرتبط: هر چیزی که باید در مورد انواع کارت حافظه micro SD بدانید!

در اعلامیه سامسونگ آمده است:” حافظه‌ی جدید ۱۶ گیگابایتی GDDR6 که بر اساس فرایند پیشرفته‌ی ۱۰ نانومتری سامسونگ ساخته شده است، عملکردی دو برابر حافظه‌ی ۸ گیگابایتی GDDR5 قبلی این شرکت که با فرایند ۲۰ نانومتری ساخته شده بود، دارد. در حافظه‌ی جدید سرعت پین به ۱۸ گیگابیت در ثانیه و سرعت انتقال داده در آن به ۷۲ گیگابایت در ثانیه می‌رسد. این در مقایسه با نسل قبلی که سرعت پین آن از ۸ گیگابیت در ثانیه تجاوز نمی‌کرد نشان‌دهئده‌ی بیش از دو برابر رشد است. با استفاده از طراحی نوآورانه و کم‌ مصرف، حافظه‌های جدید ۱٫۳۵ ولت انرژی مصرف می‌کند. در حالی که GDDR5 حدود ۱٫۵۵ ولت انرژی مصرف می‌کرد که شاهد کاهش مصرف ۳۵ درصدی در نسل جدید هستیم. همچنین استفاده از فرایند ۱۰ نانومتری در تولید باعث افزایش بهره‌وری در تولید می‌شود. این در مقایسه با حافظه‌های نسل قبل که با فرایند ۲۰ نانومتری تولید می‌شدند، ۳۰ درصد بهبود را نشان می‌دهد.”

این به این معنی است که این فناوری مبتنی بر اینترفیس ۳۸۴ بیت و مجهز به ۱۲ واحد DRAM مجزاست که می‌تواند تا ۲۴ گیگابایت حافظه‌ی VRAM را درون خود جای دهد. این درحالیست که یک مدل ۲۵۶ بیتی از همین نوع، تا ۱۶ گیگابایت حافظه VRAM را پشتیبانی می‌کند. البته VRAM تمام قضیه نیست. یک کارت ۳۸۴ بیتی می‌تواند تا نرخ ۸۶۴ گیگابایت، اطلاعات را منتقل کند در حالی که در کارت ۲۵۶ بیت، این نرخ از ۵۷۶ گیگابایت بر ثانیه تجاوز نمی‌کند.
بنابراین یه کارت ۲۵۶ بیت می‌تواند از هر کارت ۳۸۴ بیتی نسل GDDR5 که تا این تاریخ تولید شده سریعتر عمل کند. کارت‌های ۳۸۴ بیتی موجود در بازار تنها زمانی می‌توانند به این سرعت دست پیدا کنند که مبتنی بر حافظه‌ی HBM2 باشند. همانند مدلی که در کارت گرافیک Volta V100 استفاده شده است. این حافظه می‌تواند به سرعت ۹۰۰ گیگابایت بر ثانیه نیز دست پیدا کند. سامسونگ حافظه‌های سریعتر HBM2 نیز تولید کرده اما قیمت تمام شده‌ی آن‌ها بسیار زیاد است. پس استفاده از آن در کارت‌های گرافیکی به منظور گیمینگ مناسب به نظر نمی‌رسد. با از راه رسیدن حافظه‌های پرسرعت و با ظرفیت بالا می‌توان توان پردازش گرافیکی بسیار بالایی همچون انجام بازی با رزولوشن ۴K/8K را انتظار داشت.
مشخصات حافظه‌های گرافیکی

همچنین بخوانید:

۴ ترفند برای انتقال برنامه از حافظه داخلی به کارت SD در اندروید روت شده و روت نشده

منبع

برای ورود به کانال تلگرام روژان کلیک کنید