Micron تولید تراشه‌های حافظه DDR4 را با فناوری ساخت 1Z نانومتری آغاز کرد

Micron خبر از آغاز تولید جدیدترین نسل از تراشه‌های حافظه DDR4 خود با فناوری ساخت جدید رده 1Z نانومتر دارد که ادعا می‌کند با نزدیک به 40 درصد کاهش مصرف انرژی همراه است. این تراشه‌ها داری ظرفیت 16 گیگابیت (2 گیگابایت) هستند و با استفاده از فناوری ساخت 1Z نانومتری تولید می‌شوند.

آن‌طور که Micron می‌گوید، تراشه‌های حافظه 16 گیگابیتی 1Z نانومتری این کمپانی با افزایش چشمگیر چگالی و همچنین بهبود کارایی و کاهش هزینه ساخت نسبت به تراشه‌های نسل قبل 1Y نانومتری همراه هستند. فناوری ساخت 1Z نانومتری نسل سوم از فناوری ساخت 10 نانومتری است. در عین حال 1X و 1Y به ترتیب به نسل اول و دوم این فناوری اشاره دارند.

در حقیقت آنچه که Micron خبر از آغاز تولید انبوه آن داده، قطعه سیلیکونی 16 گیگابیتی است و از آن در ساخت پکیج‌های حافظه با ظرفیت بالاتر استفاده خواهد شد. بری نمونه Micron با استفاده از هشت قطعه سیلیکونی 16 گیگابیتی، پکیج‌های 16 گیگابایتی می‌سازند.

به ادعای این سازنده، تراشه‌های 16 گیگابیتی DDR4 این کمپانی در مقایسه با دو تراشه 8 گیگابیتی، 40 درصد انرژی کمتری مصرف می‌کنند. در عین حال تراشه‌های 16 گیگابیتی LPDDR4X این کمپانی نیز تا 10 درصد انرژی کمتری مصرف می‌کنند. از آنجایی که در تراشه‌های تولیدی با فناوری 1Z نانومتری چگالی بیت‌ها افزایش یافته، برای Micron تولید تراشه‌های با ظرفیت بالا ارزان‌تر تمام می‌شود. هم زمان چنین تراشه‌هایی به کاهش مصرف انرژی و هزینه‌های تولید می‌کنند.

این سازنده به نرخ انتقال تراشه‌های حافظه 16 گیگابیتی جدید خود هیچ اشاره‌ای نکرده اما می‌بایست در محدوده استانداردهای فعلی JEDEC باشد. یکی از اولین محصول‌های این کمپانی از که تراشه‌های جدید در ساخت آن استفاده خواهد شد، ماژول‌های حافظه با ظرفیت 32 گیگابایت و بالاتر خواهد بود. از این ماژول‌ها در کامپیوترهای رده بالا، لپ تاپ‌ها و سیستم‌های ورک استیشن استفاده خواهد شد.

در آن سو تراشه 16 گیگابیتی LPDDR4X این کمپانی دارای نرخ تبادل تا 4266 میلیون ترانسفر در ثانیه است.

سامسونگ نیز در ماه مارس خبر از آغاز تولید تراشه‌های 8 گیگابیتی 1Z نانومتری خود که در فصل دوم امسال در کامپیوترهای رده بالا و در سال 2020 در سرورها مورد استفاده قرار خواهند گرفت.